半导体材料微米/纳米级体缺陷检测理论与实验研究

摘要：

通过对近红外激光散射信号探测和信号分布分析,来检测半导体材料体缺陷是一种很有前途的方法.本文简要介绍了检测的基本原理和理论模型,在此基础上提出了判断缺陷尺度的判据,并通过对一组GaAs样品的实验研究,验证了其可行性.

关键词： 半导体体缺陷 微米/纳米检测 散射分布

作者: 尤政 李颖鹏 陈非凡 于世洁

作者单位: 清华大学精仪系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 152-154

在线出版日期: 2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）