MOS器件栅氧化层x辐照损伤和静电损伤的机理研究
对n沟道MOS器件的栅氧化层进行了x射线辐照试验和低电压静电放电(ESD)试验，分别在试验前后测量了样品的转移(IDs-Vg)特性和C-V特性。测量结果表明：两种试验具 有等效性。试验后MOS器件的阈值电压和C-V曲线的平带电压向负方向漂移。两种试验都在栅氧化层界面附近引进了不容易消除的附加正电荷。该文还根据实验结果对上述两种应力下MOS器件的退化机理进行了分析。
半导体器件 金属氧化物半导体 栅氧化层 辐照损伤 静电损伤 X射线辐照
费庆宇
部五所
国内会议
庐山
中文
223～228
1998-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）