TDDB和热载流子可靠性综合评价模型

摘要：

该文首先简要介绍了TDDB和热载流子的理论模型，然后提出了一个在MOS器件中综合评价TDDB和热载流子效应的新方法，推导了该方法应用的数学模型，为综合评估VLSI电路各种可靠性的影响探索了一条新路。

关键词： 半导体器件 集成电路 击穿效应 热载流子 可靠性评价

作者: 罗宏伟 孔学东

作者单位: 部第五研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第九届学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 167～170

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）