烧结工艺对Ru-基厚膜应变电阻性能的影响
该文讨论了烧结峰温T<,M>对厚膜应变电阻性能的影响。实验证明，烧结温度对不同Ru-基厚膜应变电阻的影响不同；RuO<,2>＞Bi<,2>Ru<,2>O<,7>＞Pb<,2>Ru<,2>O<,7-Y>；随着T<,M>上升，方阻R<,□>下降，电阻温度系数TCR上升，应变系数GF下降；导电相合成温度高，R<,□>值较大，TCR略大，GF较大；但TCR和GF值并不完全依赖于R<,□>和T<,M>。采用厚膜电阻的隧道阻挡层导电机理和液相烧结模型对实验结果进行了探讨。
厚膜应变电阻 烧结峰温 方阻 电阻温度系数 应变系数
马以武 宋箭 常慧敏 王英先
科学院合肥智能机械研究所传感技术国家重点实验室
国内会议
重庆
中文
650～652
1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）