含N薄栅介质的电离辐照及退火特性

摘要：

对含N薄栅MOS电容进行了Co-60γ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中N的引入，能明显抑制辐射感生Si/SiO<,2>界面态的产生，减少初始固定正电荷和界面态，减小辐照后界面陷阱的退火速率。用一定模型解释了实验结果。

关键词： 半导体器件 薄栅介质 电容 微电子器件 电离辐照 退火特性

作者: 张国强 严荣良

作者单位: 科学院新疆物理研究所（乌鲁木齐）

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电子产品防护技术”98研讨会

会议地点: 庐山

会议语种:中文

页码: 199～204

在线出版日期: 1998-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）