半导体纳米管的外延制备

摘要：

该文采用了低压MOCVD原位知组织生长的方法在有V形槽的衬底上外延生长获得了AlGaaAs/InGaAs/InGaAs/AlGaAs半导体纳米管结构，纳米管的横截面TEM像清楚显示了无位错的半导体纳米管结构，光荧光光谱显示了这种准一维的纳米管结构光荧光信号，表明该结构的晶体质量的完整性。

关键词： 半导体纳米管 外延制备

作者: 刘兴权 陆卫 陈益栋 李宁 李志锋 窦红飞 沈学础 于大鹏

作者单位: 中科院上海技术物理研究所(上海) 北京大学物理系电镜实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 88-93

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）