半导体量子点子带间光吸收饱和

摘要：

运用密度矩阵方法对半导体量子点材料导带内和价带内子带间光吸收饱和问题进行了理论研究。光饱和强度的计算值与最近文献报导的实验值相符。此外，将量子点与量子阱材料的情况进行了比较。

关键词： 半导体量子点 光吸收饱和

作者: 刘宁宁 潘少华 赵国忠

作者单位: 中国科学院物理研究所(北京) 北方交通大学物理系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 144-145

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）