高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响

摘要：

光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下，利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W<,0.95>Ni<,0.05>金属薄膜应变条。实验结果充分证明了由W<,0.95>Ni<,0.05>金属薄膜在InGaAsP/InP双异质结构内形成的光弹波导结构具有很高的热稳定性。

关键词： 半导体接触 光弹效应 平面型波导器件 热稳定性

作者: 邢启江

作者单位: 北京大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 266～269

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）