多量子阱VCSELs阈值特性的分析

摘要：

采用光谱增益与载流子浓度的对数关系，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数（阱数、腔长和反射率等）之间的依赖关系，描述了微腔激光器中的自发辐射增强效应，比较了三维理想封闭腔与普通开腔中的特性曲线这将对于VCSELs的理论研究和优化器件结构有所裨益。

关键词： 半导体激光器 阈值电流密度 最佳阱数 微腔效应

作者: 潘炜 张晓霞 罗斌 吕鸿昌

作者单位: 西南交通大学计算机与通信工程学院(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会全息专委会年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 62～64

在线出版日期: 1999-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）