1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应
1.3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统中。为了扩大其应用至核环境和外层空间，该文对mInGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为0.4-1.8MeV范围内，注量小于2×10<”16>im<”-2>条件下进行辐照，对mInGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。辐照注量达1×10<”16>m<”-2>时，激光器的输出功率呈数理级下降，而镀以Y<,2>O<,3>-ZrO<,4>膜的半导体激光器的抗辐照性能得到提高。
半导体激光器 抗辐器 电子辐照
林理彬 王浙辉 祖小涛
四川大学物理系辐射物理及技术国家教委开放实验室(成都)
国内会议
江苏扬州
中文
120～124
1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）