GaAs VCSEL/MISS混合集成光子“或”门

摘要：

该文报道了GaAs VCSEL/MISS混合集成光子“或”门的制备及其特性。制备GaAsMISS光电开关工艺中，将MBE生长的超薄AlAS层氧化为AxOy层，并将AxOy用作MISS器件的超薄半绝缘层，这一方法解决了制备MISS器件的关键工艺即制备重复性、均匀性、稳定性好的超薄半绝缘层。在成功地研制出VCSEL和GaAsMISS的基础上制备出了VCSEL/MISS的混合光子“或”门。此集成器件可用于自由空间光互连或光计算。

关键词： 半导体激光器 集成 光子开关 氧化

作者: 林世鸣 康学军

作者单位: 院半导体所,集成光电子学国家重点联合实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 306～309

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）