808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性

摘要：

介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性，测试了器件的低频电噪声，讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明，808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低，其噪声在低频段主要为1/f噪声，且在阈值附近有最大值，器件噪声与器件质量有一定的相关性。

关键词： 半导体激光器 高功率 远结 噪声

作者: 胡贵军 石家纬 张素梅 齐丽云 李红岩

作者单位: 吉林大学电子工程系(长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 279～281

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）