新型横向高压器件及其优化分析

摘要：

本文提出了一种新型的横向高压器件结构，并对其进行了耐压分析，结果表明，该结构具有与RESURF器件相媲美的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，相对于内场限环结构，其耐压高且导通电阻低，因而下失为一种较为实用的提高横向功率器件耐压的新途径。

关键词： 横向高压器件 击穿电压 优化分析

作者: 唐本奇 耿斌 李国政 罗晋生

作者单位: 核技术研究所（西安） 交通大学(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第四届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 386～390

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）