AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

摘要：

用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数，如多量子阱中AlGaAsSb/InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb/InGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分，多量子阱中的阱数等，来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度。

关键词： 半导体材料多量子阱 PL强度 激光器

作者: 郑燕兰 李爱珍

作者单位: 中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 282～284

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）