GaAs的ICP选择刻蚀研究

摘要：

选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步。由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差，且精度难以控制，因此有必要进行干法刻蚀的研究。虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀，但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤，影响器件性能。感应耦合等离子刻蚀(ICP)是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法，在GaAs器件的制造中有突出的优点.该工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究，GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1，取得较理想的刻蚀结果。

关键词： 半导体材料 选择刻蚀 半导体器件

作者: 王惟林 刘训春 魏珂 郭晓旭 王润梅

作者单位: 中科院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 174～177

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）