纳米半导体膜与纳米技术进展

摘要：

纳米半导体硅（ｎｓ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制，纳米硅薄膜由中组元组成，纳米尺度晶粒组元和晶料间的界面组元，即晶态相和晶界相组成，这对发展半导体器件，例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。

关键词： 半导体材料 纳米材料 纳米硅 薄膜 量子功能器件

作者: 林鸿溢

作者单位: 理工大学电子工程系

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国薄膜学术讨论会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 95～100

在线出版日期: 1999-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）