InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

摘要：

InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料。离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题。采用Fe<”+>注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果。用Be<”+>注入制作了新结构HPT的基区。研制成功了在1.55μm波长工作的InGaAs/InP新结构光电晶体管，在0.3μW入射光条件下，光电增益为350。

关键词： 半导体材料 离子注入 新结构HPT

作者: 李国辉 杨茹 于民 曾一平 韩卫

作者单位: 北京师范大学低能核物理所 中科院半导体所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 259～262

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）