用于光纤射频传输系统的多量子井半导体激光器的非线性模型
该文基于激光器数率方程和Ｖｏｌｔｅｒｒａ非线性理论，对多量子井（ＭＱＷ）半导体激光器提出了包含量子捕获和逃溢过程的一个新的非线性模型。该模型从三个分别表示动态光子密度，限制区和阻挡层中的动态载流子密度及有源层（量子井）中的动态载流子密度变化的微分方程出发，利用Ｖｏｌｔｅｒｒａ理论分析，给出了激光器小信号频率响应，弛豫振荡频率（ｆ〈，ｒ〉）和二、三阶互调及交调失真分量，其结果表明：（１）弛豫振荡频率与偏置电流（Ｉ〈，ｂ〉－Ｉ〈，ｔｈ〉）〈’１〉／２曲线的斜率不为常数，而是随偏置增加而逐渐减小，这一结果与实验数据相吻合，特别是在高偏置范围内，（２）三阶交调失真有一最小值，因而可随偏置电流优化，这个“落点”（ｄｉｐ）现象已在实验中有所报道，但没有被原有模型解释。
半导体薄膜技术 氧电极 小型电极阵列 BOD传感器
梁可非 潘琦
pt.of EIMC,University of Bradtord,UK
国内会议
北京
中文
203～208
1998-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）