CdTe/CdMnTe多量子阱的生长和激子复合动力学性质的研究
用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdTe/Cd<,0.8>Mn<,0.2>Te多量子阱结构。利用X射线衍射(XRD)、低激发密度下的PL光谱和变密度激发的Ps时间分辨光谱研究了CdTe/CdMnTe多量子阱的结构和激子复合特性。在变密度激发的Ps时间分辨光谱中,发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的。
半磁半导体 磁光效应 量子阱生长
张希清
北京交通大学光电子技术研究所
国内会议
海口
中文
55~59
2000-01-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)