注F栅介质抗电离辐射损伤机理
对含F MOS结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究。其结果表明：F减少工艺过程引入栅介质的E’中心缺陷和补偿Si/SiO<,2>界面Si悬挂键的作用，将导致初始氧化物电荷和界面态密度的下降；栅SiO<,2>中的F主要以F离子和Si-F结键的方式存在；含F栅介质中部分Si-F键替换Si-0应力键而使Si-SiO<,2>界面应力得到释放，以及用较高键能的Si-F键替换Si-H弱键的有益作用是栅介质辐射敏感性降低的根本原因；含F CMOS电路辐射感生漏电流得到抑制的主要原因是场氧介质氧化物电荷的增长受到了明显抑制。
含F介质 电离辐射 氧化物电荷 界面态 损伤机理
张国强 余学锋 陆妩 范隆
中国科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
国内会议
江苏扬州
中文
77～85
1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）