UHV/CVD方法N型掺杂Si外延数学模拟研究

摘要：

硅外延掺杂剂的掺入，输入分压是影响掺杂浓度的最重要的因素。在UHV/CVD方法进行硅外延掺杂实验中，掺杂剂气体分解为若干种气体，这些气体的气体分压可以通过热力学进行计算。该文通过建立掺杂浓度与气体分压的数学模型，得到掺杂浓度与气体分压、生长温度的关系，掺杂剂掺入硅中的掺杂效率也同时得到，为定性了解掺杂剂的掺入情况提供了依据。

关键词： 硅外延掺杂剂 数学模型

作者: 蒋良俊 叶志镇

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 160～162

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）