半导体硅片的电化学研究Ⅰ.N(100)硅片

摘要：

采用电化学直流极化和交流阻抗技术，并通过控制光照条件，研究了Ｎ（１００）硅片／氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能。结果表明，有光照条件下，硅片／氢氟酸界面上的电化学反应很容易发生且起主导作用，黑暗条件下硅片处于消耗期，因而其半导体性能起着重要的作用。

关键词： 硅片 电化学 氢氟酸 半导体性能

作者: 程璇 林昌健

作者单位: 大学化学系,材料科学系,固体表面物理化学国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 169～173

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）