硅片的背面处理

摘要：

抛光硅片的背面处理起吸除器件区重金属杂质和减少晶格缺陷的作用。该文用ＳＥＭ、ＴＥＭ和光学显微镜研究硅片背面的机械损伤、软损伤和多晶硅，分析了这些背面处理的吸杂机理。

关键词： 硅片 背面处理 重金属杂质 晶格缺陷 清除

作者: 闵靖 邹子英 吴晓虹

作者单位: 市计量测试技术研究院,上海微电子分析测试重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 114～117

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）