硅纳米线的显微结构及生长机理研究
(0) 利用扫描和透射电子显微学方法,分别研究了镀金和抛光硅衬底上生成的不同形态纳米硅线.在汽-液-固三相转变生长机制(VLS)的热力学理论分析基础上,揭示了镀金硅衬底上的纳米线,与生长初期衬底表面上形成的Au-Si液滴有关,液滴中S i过饱合度与纳米硅线直径尺寸成反比关系,与成核密度成正比.抛光硅表面沉积的硅纳米线,可用非晶态SiO<,x>颗粒在高温下Si与SiO<,2>的相分离生长机理解释.
硅纳米线 显微结构 生长机理
张泽 北京电子显微镜开放实验室(北京)
中国科学院物理研究所
国内会议
杭州
中文
51-54
2001-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）