重掺锑硅单晶生长中锑的分凝与挥发

摘要：

该文研究了重掺锑硅单昌生长过程中锑的发凝行为，指出在同样的工艺参数下，热场不同，锑的有效分凝系数有很大的差异。同时对收集的挥发沉淀物，通过ＸＲＤ，ＸＲＳ分析其成份，发现锑以氧化物形式挥发，并对锑的挥发机制进行了探讨。

关键词： 硅单晶生长 重掺杂 锑 挥发 分凝

作者: 李立本 张锦心 阙端麟

作者单位: 大学硅材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 74～77

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）