4H-SiC ACCUFET结构特性研究
碳化硅(SiC)器件是近几年发展较快的新型宽禁带半导体器件之一.与其它半导体材料相比,SiC独特的热特性和电特性使得它在功率和频率方面具有最高的品质因数,因此它在高温、高压、高频、大功率和辐射环境下具有极强的应用潜力.本文首选介绍了SiC材料特性和SiC功率MOSFET的特点,在此基础上,对国际上最新进出的新型功率器件4H-SiCACCUFET的结构、工作原理及工艺特点进行了研究,并用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI对ACCUFET结构进行模拟分析,其得到了模拟结果为今后的功率MOSFET研究工作打下了一定的基础.
硅材料 模拟软件 半导体器件 集成电路
聂国健 张波
电子科技大学微电子所(成都)
国内会议
成都
中文
96-99
2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）