以氧或水汽为源等离子体离子注入合成埋层二氧化硅

摘要：

报道以氧或者水汽作为离了源以等离子体浸没离子注入（ＰⅢ）离子合成ＳＩＭＯＸ。我们研究了ＰⅢ离子合成埋层ＳｉＯ〈，２〉的工艺。用ＳＩＭＳ、ＸＴＥＭ等技术对样品进行了测试。

关键词： 硅ＳＯＩ 注氧隔离ＳＩＭＯＸ 等离子体离子注入 等离子体氧隔离ＳＰＩＭＯＸ 顶层硅 埋层ＳｉＯ〈，２〉

作者: 闵靖 吴晓虹 邹子英

作者单位: 市计量测试技术研究院,上海微电子分析测试重点实验室(上海) 市计量测试技术研究院,上海微电子分析测试重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 263～265

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）