硅基GaN外延生长的界面分析

摘要：

该文报导了在硅基上用真空反应法生长出了ＧａＮ外延层，利用Ｘ射线衍射仪和投射电镜对外延层和初底处的界面情况进行了研究分析，发现在界面外存在着一层ＧａＮ多晶过渡层，这层过渡层能够有效地缓解由两种材料晶格失配引起的应变，改善外延层的晶体质量。同时初步建立了在Ｓｉ初底上生长ＧａＮ的模型。

关键词： 硅 外延生长 氢化镓

作者: 张昊翔 叶志镇 赵炳辉 李先杭 汪雷

作者单位: 大学硅材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 158～160

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）