硅上外延SiGe组分渐变缓冲层的双晶X射线研究

摘要：

用ＵＨＶ／ＣＶＤ法在７８０℃生长了组分渐变的缓冲层及外延层，缓冲层顶层的应变基本上已完全驰豫，最外层ＳｉＧｅ材料的双晶Ｘ射线半高峰宽与单五成分的ＳｉＧｅ外延层比较要低得多，从而提高了外延层的晶体质量。

关键词： 硅 外延生长 硅锗组分 缓冲层 双晶X射线

作者: 卢焕明 叶志镇 汪雷 黄靖云

作者单位: 厌这硅材料国家材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 151～152

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）