硅（100）表面上甲基吸附反应的理论研究

摘要：

利用引入晶格应变修正的AMI半经验分子轨道方法计算了甲基在Si(100）表面上吸附的反应过程，并与金刚石（100）表面上的同样反应做了比较。

关键词： 硅 金刚石薄膜 反应机理

作者: 戴振文 潘守甫

作者单位: 大学物理系(长春) 大学原子与分子物理研究所(长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国原子与分子物理学术会议

会议地点: 河南新乡

会议语种:中文

页码: 228～230

在线出版日期: 1998-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）