硅（100）表面上乙炔吸附反应的理论研究

摘要：

该文采用引入晶格应变修正的AMI半径验分子轨道方法计算了乙炔在Si（100）表面上吸附的反应过程，并与甲基的吸附反应做了比较，讨论了引入晶格应变修正的合理性。

关键词： 硅 金刚石薄膜

作者: 戴振文 荣垂庆

作者单位: 大学物理系(长春) 大学原子与分子物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国原子与分子物理学术会议

会议地点: 河南新乡

会议语种:中文

页码: 247～248

在线出版日期: 1998-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）