硅中的氮氧复合物及其施主行为

摘要：

含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅，研究表明，含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主，它随氮氧复合物的形成而形成，随氮氧复合物的消失而消失。文章进一步研究了氮－新施主的结构模型，并对氮－新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨。

关键词： 硅 氮氧复合物 施主行为

作者: 刘培东 张锦心 李立本

作者单位: 大学硅材料科学院家重点实验室,浙江半导体技术有限责任公司 大学硅材料科院实验室,浙江半导体技术有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 187～192

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）