硅单晶生长工艺的发展动向

摘要：

该文较为详尽地立新离硅单晶生长的工艺方法和发展动向，并指出ＣＺ－Ｓｉ在半导体工业中所具的重要地位，ＭＣＺ法是一种大有前途的方法，在今后一段较长的时期内ＭＣＺ－Ｓｉ将与ＮＴＤ－Ｓｉｏ并存。

关键词： 硅 单晶生长

作者: 袁永春

作者单位: 半导体材料研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 27～30

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）