SI-GaAs晶片的PL mapping表征技术

摘要：

研究了扫描光致发光光谱(PL mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用 ，实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系，所以在为制备器件筛选优质的SI-GaAs材料时，除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外，PL mapping也是表征材料质量的一个重要参数。

关键词： 光致发光光谱 砷化镓材料 表征材料

作者: 李光平 李静 何秀坤 王寿寅

作者单位: 信息产业部电子第四十六研究所(天津) 北京伯乐分析生化仪器有限公司(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 365～368

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）