低碳含量a-SiC<,x>:H薄膜的化学键结构
本文采用Raman测量研究了低碳含量a-SiC<,x>:H(～<20at.℅)薄膜的结构特征,两种不同激光波长被用来激发这些材料.采用647.1nm激发中,由于能量接近于各样品的光学带隙,因而具有较大的透射深度,而488nm激发则被样品表面强列吸收.探测深度的变化造成了Raman谱较大的差异,这些结果表明样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层,同时也证明样品体内硅团簇结构的存在.这两种空间的不均性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽,以上结果表明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异.
a-SiC<,x> H薄膜 Raman测量 探测深度
王燕 岳瑞峰
清华大学微电子学研究所(北京)
国内会议
上海
中文
348-350
2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）