新型B/Ge共掺光敏光纤的研制

摘要：

紫外光纤乐栅的包层模造成的损耗限制了光栅在波分复用系统中的使用。该文分析了同时具有下陷内包层和光敏内包层的光敏光纤可以极大地抑制包层模耦合，并采用MCVD工艺制做出了硼和锗共掺(B/Ge)的带光敏的下陷内包层的光纤，经写入紫外光纤光栅证实该光敏光纤确实极大的抑制了包层模耦合。

关键词： 光纤 光栅 光敏性 包层模 耦合

作者: 龚岩栋 陈干谦 简水生

作者单位: 北方交通大学光波技术研究所 北方交通大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 展望21世纪初光电技术发展趋势研讨会

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 115～117

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）