背面对准X射线光刻掩模制作研究
深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法。地大多数LIGA掩模支撑膜的光学不透明性,很难进行埯要重复对准的多次曝光。我们通过使用背面对准X射线光刻掩模,很好的解决了这一问题,给出了该掩模制作工艺的研究结果。整个过程包括沉淀氮化硅、UV光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用Karl Suss双面对准曝光机,可获得2μm的对准精度。
光刻 LIGA MEMS 掩模
刘泽文 刘理天 李志坚
大学微电子学研究所(北京)
国内会议
长沙
中文
374~378
1999-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)