背面对准Ｘ射线光刻掩模制作研究
深Ｘ射线光刻是制作高深宽比ＭＥＭＳ结构的一个重要方法。地大多数ＬＩＧＡ掩模支撑膜的光学不透明性，很难进行埯要重复对准的多次曝光。我们通过使用背面对准Ｘ射线光刻掩模，很好的解决了这一问题，给出了该掩模制作工艺的研究结果。整个过程包括沉淀氮化硅、ＵＶ光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ双面对准曝光机，可获得２μｍ的对准精度。
光刻 ＬＩＧＡ ＭＥＭＳ 掩模
刘泽文 刘理天 李志坚
大学微电子学研究所(北京)
国内会议
长沙
中文
374～378
1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）