铜缓蚀剂成膜过程的PECQCM研究

摘要：

使用PECQCM技术对中性介质铜缓蚀剂成膜过程进行了现场研究。结果表明，在中性Na<,2>SO<,4>溶液中钝化型缓蚀剂Na<,2>CrO<,4>对Cu成膜生长有抛物线规律，而由于Cl<”->的影响，在中性NaCl溶中，该缓蚀剂膜生长曲线为折线型。吸附配合型缓蚀剂苯并三唑（BTA）对铜缓蚀成膜含BTA的吸附和BTA与铜形成配合物膜两个过程。有卤素离子存在时，BTA成膜有一个明显的孕育期，卤素离子与BTA有显著的协同效应，并提出了该效应的“除膜机制”。

关键词： 光电化学 电化学石英晶体微天平 缓蚀剂 铜电极 协同效应

作者: 戴忠旭 甘复兴 汪的华 姚禄安

作者单位: 武汉大学环境科学系(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届中国青年腐蚀与防护学术研讨会暨第六届全国青年腐蚀与防护科技论文讲评会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 133-136

在线出版日期: 1999-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）