ZnS介质膜的溅射生长及其结n-HgCdTe Hall器件输运特性的影响

摘要：

用低温Ar<”+>束溅射沉积生长了ZnS介质薄膜；用低温变磁场Hall测量技术研究了Zns薄膜的沉积生长对n-HgCdTe Hall器件中HgCdTe表面、体内载流子的分布、迁移率的影响。实验证明，利用该文Ar<”+>束溅射沉积技术在n-HgCdTeHall器件表面进行的ZnS介质膜生长不会引起HgCdTe的晶格损伤，且ZnS与器件界面的固定电荷呈正电荷，不会降低n-HgCdTe光导型红外探测器器件的最终性能指标。

关键词： Ar<”+>束溅射沉积 迁移率谱 n-HgCdTe 红外探测器

作者: 周咏东 方家熊 叶华伟 范广宇 汤定元

作者单位: 大学物理科学与技术学院中国科学院上海技术物理研究所 科学院上海技术物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 470～472

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）