固态磷源分子束外延生长研究

摘要：

该文在国产分子束外延设备的基础上，引进了一套RIBER的全固态源炉并尝试着进行了材料生长，获得了一些初步结果。利用三温区阀控裂解磷源炉生长子非故意掺杂的InP表面形貌良好，生长速度约0.5μm/hour，载流子浓度约为-1×10<”16>cm<-3>。

关键词： 固态磷源 分子束外延生长 材料生长

作者: 郝智彪 卢京辉 任在元 罗毅

作者单位: 清华大学电子共程系集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 85-86

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）