BF<,2><”+>注入硅后形成CoSi<,2>的特性研究

摘要：

实验研究表明，多晶硅中注入一定剂量的ＢＦ〈，２〉〈’＋〉后再形成ＣｏＳｉ〈，２〉，其高温稳定性出未注入ＢＦ〈，２〉〈’＋〉的情况有进一步的提高。在能使钴硅充分形成的温度下（８００°Ｃ），对于ＢＦ〈，２〉〈’＋〉注入剂量低于６Ｅ１５ｃｍ〈’－２〉的情况，ＣｏＳｉ〈，２〉薄层电阻没有太大的增加，另外，单晶硅经ＢＦ〈，２〉〈’＋〉注入再形成ＣｏＳｉ〈，２〉后，ＰＮ结的反向击穿特性有较明显的改善。

关键词： 钴硅化物 导电性 半导体掺杂 注入

作者: 罗葵 高玉芝 张录 王玮 孙玉秀 张利春

作者单位: 大学微电子学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 271～273

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）