勾型磁场控氧技术的研究

摘要：

磁场应有和在直接硅单晶的生长系统上（ＭＣＺ）能有效地掏硅熔体之热对流，降低晶体中的氧含量，该文在分析“勾型”磁场分布特点的基础上，制定相庆的拉晶工艺参数，达到控制晶体的氧含量和提高氧的径向分布均匀性的目的。

关键词： 勾型磁场 控氧 拉晶 硅 单晶生长

作者: 方锋 张果虎 吴志强

作者单位: 有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 41～42

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）