勾形磁场拉晶技术

摘要：

该文研究了利用勾形磁场的拉晶技术。通过改变磁场强度及埚转速度，可将氧的轴向梯度控制在中氧范围内的±１ｐｐｍａ内，利用分段拉晶技术可以拉制Ｎ〈１１１〉高阻单晶，替代区熔单晶，用于制造小功率器件。

关键词： 勾形磁场 拉晶 硅 单晶生长

作者: 郝玉清 方锋 吴志强

作者单位: 有色金属研究总院半导体材料工程研究中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 39～40

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）