氢、氦共注入硅的微结构研究

摘要：

把氢、氦离子共同注入入单晶硅片，在剂量比两种离子单独注入低的情况下就可以在退火过程中使表面产生砂眼、和剥离的现象。该文对氢、氦共注入的样品用Ｘ射线四晶衍射、ＲＢＳ、ＸＴＥＭ等方法作材料研究，并讨论了氢氦共注入使总离子注入的剂量降低的原因。

关键词： 共注入 智能剥离

作者: 多新中 刘卫丽 王志新 王鲁闽

作者单位: 科学院上海冶金所信息功能材料国家实验室(上海) 密西根大学工学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 271～273

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）