功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模拟方法

摘要：

建立了ＶＤＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和参数提取方法，对器件的输出特性和单粒子烧毁效应机理进行了分析和模拟，模拟结果与文献中的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。

关键词： 功率MOS器件 单粒子烧毁 电路模拟 卫星 半导体器件 场效应器件

作者: 唐本奇 王燕萍 耿斌 陈晓华 杨海亮

作者单位: 核技术研究所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第10届全国计算机在现代科学技术领域应用学术会议

会议地点: 扬州

会议语种:中文

页码: 111～113

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）