PSII工业样机用平面磁控溅射靶设计及工艺实验
根据全方位离子注入(PSII)工业样机实验和应用的需要,由等效电流磁场计算法获得的数据结果,设计了一种平面磁控溅射靶。并利用此平面磁控靶在一定的Ar、 N<,2>气体分压及不同电流、电压条件下,成功地制备出金黄色氮化钛薄膜,并利用台阶轮廓仪测量了TiN薄膜的沉积速率,表明该靶TiN薄膜的沉积速率能满足增强沉积TiN涂层的需要。
工业样机 平面磁控测射靶 沉积速率
穆莉兰 童洪辉 霍延峰
国内会议
成都
中文
254~257
1999-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)