AlGaInP／GaAs HBT器件的高温特性及失效机理的研究

摘要：

该文研究了Al、Gan、In、P/GaAs异质结双极型晶体管（HBT）器件从室温到673K的输出特性，发现器件的直流电流增益从室温到623K下降不到l0，并且有很好的线性。在673K时，器件发生失效。通过对失效器件的E-B结和B-C结的二极管特性及对基区欧姆电极的二次离子质谱的分析，表明器件的失效原因是由于基极金属穿透基区使B-C结短路造成。

关键词： AlGaInP／GaAs HBT器件 高温特性 失效机理

作者: 束伟民 吴杰

作者单位: 科学院上海冶金研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 161～164

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）