硼-碳-氮新相及其导电性

摘要：

在4GPa，500～1200K的范围，对非晶BCN化合物等温等压加热1h。结果表明：压力促进非晶BCN的晶化。在880K以上退火1h，获得一新的具有四方结构的B-C-N半导体晶体相。其晶格常数和室温电阻率随温度的提高而减少，这一结果被归因于其碳含量随温度的增加而增加。经1170K退火获得的B-C-N新相的晶格常数为a=1.685nm，c=0.537nm，室温电阻率为2.99（Ωm）。电阻随温度的变化呈类半导体特性。

关键词： 高压 非晶晶化 新相 半导体性质

作者: 姚斌 叶森 吴瑞芝 刘力 刘曙娥 苏文辉 苏文辉

作者单位: 吉林大学物理系 长春煤碳干部管理学院 中国科学院国际材料物理中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国高压学术讨论会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 191-195

在线出版日期: 1999-10-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）