高性能1.55um InGaAsP/InP应变量于阱DFB激光器的研制

摘要：

该文报道了利用低压MOCVD研制的1.55um应变量子阱DFB激光器。DFB激光器在25℃下的阈值电流为8-15mA，单面效率可达0.28mW/mA．边模抑制比为40dB-20dB的谱宽小于0.3nm。单模成品率为90℅。在25-45℃范围内，DFB激光器的特征温度为117k这是目前文献报道的最好结果。

关键词： 高性能 1.55um InGaAsP/InP应变量子阱DFB激光器

作者: 沈坤 周宁

作者单位: 邮电科学研究院电信器件公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 262～264

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）