高温高压SOI硅高温压力传感器的研制与应用

摘要：

该文介绍了用SOI结构实现高温超高压力（大于60MPa）传感器的研制。实现了超高压力下具有0.14℅的非线性输出，并且使用温度达到200℃；零点时漂小于0.1mV/4h；零点温漂和灵敏度温漂分别为0.65×10<”-4>/<”0>CF.S、0.22×10<”-4>/<”0>CF.S。并且已提供给用户使用，即将全面推向市场。

关键词： 高温高压压力传感器 SOI结构

作者: 张轩雄 陆德仁 董荣康 王文襄

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室 宝鸡传感器研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 185～186

在线出版日期: 1999-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）